По вопросам снятия ссылок обращаться на satelliter.ru@gmail.com


30-01-2016, 17:06

Общий вид

При этом происходит накопление заряда, равноценное тому, что в эквивалентной цепи появится емкость накопления Св на переходе. Если прямой ток в диоде обусловлен преимущественно диффузией, то эта емкость будет приблизительно пропорциональна прямому току, и зависит от напряжения, приложенного в прямом направлении, по экспоненциальному закону.

Так как заряд, соответствующий емкости Се, накапливается в областях, расположенных сравнительно далеко от перехода, то на высоких частотах полная проводимость перехода перестает быть чисто активной проводимостью, включенной параллельно с емкостью; другими словами, как прямая проводимость так и емкость зависят от частоты.

Таким образом, идеальный р-п переход характеризуется следующими особенностями:
1) ток является экспоненциальной функцией приложенного напряжения;
2) внутри перехода имеется область пространственного заряда, толщина которой изменяется с напряжением;
3) прямой ток связан с инъекцией неосновных носителей заряда, а обратный - с вытягиванием их через р-п переход.

Вы хотите купить декоративный камин? Переходите на наш сайт и читайте об этом более подробно.

При выводе экспоненциальной зависимости предполагают, что рекомбинационные процессы протекают слишком медленно и не могут восстановить равновесие в присутствии внешнего потенциала, а также, что новая концентрация неосновных носителей заряда мало отличается от равновесной, так что концентрация основных носителей не изменяется сколь--либо заметно. Кроме того, полагая, что неравновесные носители заряда уходят из области перехода вследствие диффузии и рекомбинации, можно показать, что ток через переход изменяется в зависимости от напряжения по тому же закону, что и концентрация носителей заряда.

Простота конструкции диода позволяет начать рассмотрение электронных процессов в полупроводниковом приборе именно с него. Диод интересен не только как выпрямитель, модулятор, переключатель, ограничитель напряжения и т. д., но также и как элемент более сложных приборов.

e-mail:gazeta@tojikiston.com

Реклама

PDF ВЕРСИИ ГАЗЕТ

Архив номеров (2005-2010гг)

КАЛЕНДАРЬ

(архив по датам)

«    Ноябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
 

ПОПУЛЯРНЫЕ СТАТЬИ


1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2004-2010 © Медиа-холдинг "Чархи Гардун"
При полном или частичном использовании материалов ссылка на gazeta.tj обязательна. Адрес редакции: 734016, Душанбе, проспект С. Шерози д. 16. Редакция не несет ответственности за достоверность информации, опубликованной в рекламных объявлениях. E-Mail: gazeta@tojikiston.com, info@gazeta.tj.
Данный сайт разработан при поддержке "Интерньюс Таджикистан". Разработка сайта: Рекламное агентство "adMedia"